شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدانی نانوسیم نیمه هادی با هدف بررسی اثر الگوهای آلایش بر شاخص های مهم در حوزه کاربرد های آنالوگ
عنوان: شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدانی نانوسیم نیمه هادی با هدف بررسی اثر الگوهای آلایش بر شاخص های مهم در حوزه کاربردهای آنالوگ نویسنده: جابر پورضعیف دوست استاد راهنما: دکتر سیدعلی صدیق ضیابری کلید واژه: ترانزیستورهای اثر میدانی، شاخص های آنالوگ سال دفاع: ۱۳۹۴ کد کتابخانه: p.f.e.03 نام فایل: p.f.e.03 قالب فایل: pdf لینک دانلود:…