شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدانی نانوسیم نیمه هادی با هدف بررسی اثر الگوهای آلایش بر شاخص های مهم در حوزه کاربرد های آنالوگ
| عنوان: | شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدانی نانوسیم نیمه هادی با هدف بررسی اثر الگوهای آلایش بر شاخص های مهم در حوزه کاربردهای آنالوگ |
| نویسنده: | جابر پورضعیف دوست |
| استاد راهنما: | دکتر سیدعلی صدیق ضیابری |
| کلید واژه: | ترانزیستورهای اثر میدانی، شاخص های آنالوگ |
| سال دفاع: | ۱۳۹۴ |
| کد کتابخانه: | p.f.e.03 |
| نام فایل: | p.f.e.03 |
| قالب فایل: | |
| لینک دانلود: | p.f.e.03 |