تحلیل و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی بر اساس رویکرد مدل سازی مداری
| عنوان: | تحلیل و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی براساس رویکرد مدل سازی مداری |
| نویسنده: | پونه احمدزاده |
| استاد راهنما: | دکتر سید علی صدیق ضیابری |
| کلید واژه: | گیت های منطقی، ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی، شبیه ساز HSPICE و PDP |
| سال دفاع: | ۱۳۹۴ |
| کد کتابخانه: | p.f.e.02 |
| نام فایل: | p.f.e.02 |
| قالب فایل: | |
| لینک دانلود: | p.f.e.02 |